半導体ウエーハの薄型化方法及び薄型半導体ウエーハ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000143043
Publication number (International publication number)：2001326206
Application date： May. 16, 2000
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】厚さが120μm程度あるいはそれ以下の半導体ウエーハを、加工工程等におけるワレ、欠け等の破損を極力発生させることなく低コストで作製することのできる半導体ウエーハの薄型化方法、及び6インチ以上の大口径でありながら従来のものよりさらに薄型化された半導体ウエーハを提供する【解決手段】表面に半導体素子2が形成されている半導体ウエーハの裏面を研削することにより薄型化する方法において、前記半導体ウエーハ1の表面を接着層3を介して支持体4に貼り合わせ、該支持体を保持した状態で前記半導体ウエーハの裏面を研削した後、該薄型化された半導体ウエーハを前記支持体から剥離する。好ましくは、支持体として半導体ウエーハ、接着層として熱剥離性両面接着シートを使用し、研削後、加熱剥離する。

Claim (excerpt)：

表面に半導体素子が形成されている半導体ウエーハの裏面を研削することにより薄型化する方法において、前記半導体ウエーハの表面を接着層を介して支持体に貼り合わせ、該支持体を保持した状態で前記半導体ウエーハの裏面を研削した後、該薄型化された半導体ウエーハを前記支持体から剥離することを特徴とする半導体ウエーハの薄型化方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 631 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/04

FI (4)：

H01L 21/304 631 , H01L 21/304 622 J , H01L 21/304 622 L , B24B 37/04 J

F-Term (7)：

3C058AB04 , 3C058BA02 , 3C058BA07 , 3C058CB03 , 3C058CB05 , 3C058CB10 , 3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体ウェハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-094897 Applicant：株式会社デンソー
ウエハ薄板化方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-309495 Applicant：三菱電機株式会社

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