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J-GLOBAL ID：200903010644186807
結晶成長装置および製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005300446
Publication number (International publication number)：2007106636
Application date： Oct. 14, 2005
Publication date： Apr. 26, 2007
Summary：
【課題】結晶サイズが大きいIII族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。【解決手段】反応容器10は、金属Naと金属Gaとの混合融液290を保持する。外部反応容器20は、反応容器10の周囲を覆う。配管30は、反応容器10の下側において外部反応容器20に連結される。抑制/導入栓60は、反応容器10と外部反応容器20との連結部よりも下側の配管30内に固定される。抑制/導入栓60および金属融液190は、混合融液290から蒸発した金属Na蒸気の配管30内への拡散を防止するとともに、空間23内の圧力と空間31内の圧力との差圧によって配管30内の窒素ガスを空間23内へ供給する。支持装置50は、種結晶5を混合融液290に浸漬または接触させる。そして、種結晶5が混合融液290によってエッチングされた後、GaN結晶が種結晶5から結晶成長する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
アルカリ金属とIII族金属とを含む混合融液を保持する反応容器と、
前記反応容器内の前記混合融液に接する容器空間へ窒素原料ガスを供給するガス供給装置と、
前記反応容器を結晶成長温度に加熱する加熱装置と、
III族窒化物結晶からなる種結晶を支持する支持装置と、
前記種結晶をエッチングするエッチング装置と、
前記エッチングされた種結晶を前記容器空間と前記混合融液との界面または前記混合融液中に支持するように前記支持装置を移動させる移動装置とを備える結晶成長装置。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B19/00 Z
, C30B29/38 D
4G077AA02
, 4G077BE11
, 4G077BE12
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077CG02
, 4G077CG06
, 4G077EA01
, 4G077EA06
, 4G077EC08
, 4G077EC09
, 4G077EE03
, 4G077EG11
, 4G077HA01
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077QA04
, 4G077QA12
, 4G077QA38
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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