Pat
J-GLOBAL ID:200903051067080067
結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
植本 雅治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999237195
Publication number (International publication number):2001064098
Application date: Aug. 24, 1999
Publication date: Mar. 13, 2001
Summary:
【要約】【課題】 工程を複雑化させることなく、また、高価な反応容器を用いることなく、かつ結晶の大きさが小さくなることなく、実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供する。【解決手段】 本発明の結晶成長装置は、反応容器101内で、少なくともIII族金属を含む融液102と、フラックスと、窒素原料とから、III族窒化物結晶を成長させるものであって、III族窒化物の種結晶103を保持する種結晶保持手段104と、フラックス蒸気圧を制御可能にフラックスを供給するフラックス供給手段(106,108,110)と、窒素圧力を制御可能に窒素原料を供給する窒素供給手段(111,112)とを具備しており、種結晶保持手段104を移動させることで、種結晶103と融液102と窒素原料とが接することができる領域を移動可能となっている。
Claim (excerpt):
反応容器内で、少なくともIII族金属を含む融液とフラックスと窒素原料とが接する領域から、種結晶を用いてIII族窒化物結晶を成長させることを特徴とする結晶成長方法。
IPC (3):
C30B 29/38
, C30B 9/00
, H01L 21/208
FI (3):
C30B 29/38 D
, C30B 9/00
, H01L 21/208 Z
F-Term (17):
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077CC06
, 4G077EA08
, 4G077ED01
, 4G077EG12
, 5F053AA12
, 5F053BB04
, 5F053BB60
, 5F053DD20
, 5F053FF04
, 5F053GG01
, 5F053HH04
, 5F053LL02
, 5F053RR04
, 5F053RR13
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
-
特開昭56-160400
-
窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-221628
Applicant:日立電線株式会社
-
化合物半導体結晶の製造方法及び製造用るつぼ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-052453
Applicant:住友電気工業株式会社
-
GaNP単結晶成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-345632
Applicant:古河電気工業株式会社
-
窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-209045
Applicant:シャープ株式会社
-
窒化物結晶の製造方法およびその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-164811
Applicant:日立電線株式会社
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Cited by examiner (6)
-
特開昭56-160400
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窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-221628
Applicant:日立電線株式会社
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化合物半導体結晶の製造方法及び製造用るつぼ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-052453
Applicant:住友電気工業株式会社
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GaNP単結晶成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-345632
Applicant:古河電気工業株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-209045
Applicant:シャープ株式会社
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窒化物結晶の製造方法およびその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-164811
Applicant:日立電線株式会社
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