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J-GLOBAL ID：200903051067080067

結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶

Inventor：
皿山 正二

About 皿山 正二

, 
岩田 浩和

About 岩田 浩和


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999237195
Publication number (International publication number)：2001064098
Application date： Aug. 24, 1999
Publication date： Mar. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】 工程を複雑化させることなく、また、高価な反応容器を用いることなく、かつ結晶の大きさが小さくなることなく、実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供する。【解決手段】 本発明の結晶成長装置は、反応容器101内で、少なくともIII族金属を含む融液102と、フラックスと、窒素原料とから、III族窒化物結晶を成長させるものであって、III族窒化物の種結晶103を保持する種結晶保持手段104と、フラックス蒸気圧を制御可能にフラックスを供給するフラックス供給手段(106,108,110)と、窒素圧力を制御可能に窒素原料を供給する窒素供給手段(111,112)とを具備しており、種結晶保持手段104を移動させることで、種結晶103と融液102と窒素原料とが接することができる領域を移動可能となっている。
Claim (excerpt)：
反応容器内で、少なくともIII族金属を含む融液とフラックスと窒素原料とが接する領域から、種結晶を用いてIII族窒化物結晶を成長させることを特徴とする結晶成長方法。
IPC (3)：
C30B 29/38 ,  C30B 9/00 ,  H01L 21/208
FI (3)：
C30B 29/38 D ,  C30B 9/00 ,  H01L 21/208 Z
F-Term (17)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC06 ,  4G077EA08 ,  4G077ED01 ,  4G077EG12 ,  5F053AA12 ,  5F053BB04 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL02 ,  5F053RR04 ,  5F053RR13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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