III族窒化物基板の製造方法およびそれにより得られるIII族窒化物基板ならびに半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004012415
Publication number (International publication number)：2005225681
Application date： Jan. 20, 2004
Publication date： Aug. 25, 2005
Summary：

【課題】 III族窒化物基板を得るための新規な製造方法を提供する。【解決手段】ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属と液体の窒素化合物とを含む混合物を加熱して溶解させることによって、上記少なくとも1つのIII族元素と上記窒素化合物とを反応させてIII族窒化物結晶を成長させる。前記液体の窒素化合物としては、例えば、ヒドラジンが使用できる。また、前記結晶の成長は加圧雰囲気下で行うことが好ましい。前記混合物は、カルシウムなどのアルカリ土類金属を含んでいても良い。前記III族元素は、ガリウムが好ましく、えられるIII族窒化物としては、窒化ガリウムが好ましい。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属と液体の窒素化合物とを含む混合物を加熱して溶融させることによって、前記少なくとも1つのIII族元素と前記窒素化合物とを反応させてIII族窒化物結晶を成長させる工程を含むIII族窒化物基板の製造方法。

IPC (5)：

C30B29/38 , C30B19/04 , H01L33/00 , H01S5/323 , H01S5/343

FI (5)：

C30B29/38 D , C30B19/04 , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , H01S5/343 610

F-Term (25)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077CG02 , 4G077EA06 , 4G077EC08 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077HA12 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA26 , 4G077QA34 , 4G077QA71 , 4G077QA74 , 4G077QA79 , 5F041CA34 , 5F041CA63 , 5F041CA67 , 5F073CA17 , 5F073CB03 , 5F073CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

GaN単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-097551 Applicant：科学技術振興事業団

Cited by examiner (3)

化合物半導体の製膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-096945 Applicant：静岡大学長
窒化ガリウム単結晶の育成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-136415 Applicant：科学技術振興事業団
半導体結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-351614 Applicant：酒井士郎

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Growth of a large GaN single crystal using the liquid phase epitaxy(LPE) technique

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