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J-GLOBAL ID：200903010655505076
表面処理装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高矢 諭 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993181744
Publication number (International publication number)：1994124920
Application date： Jul. 23, 1993
Publication date： May. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】 低エネルギで且つ高フラックスの中性ビームにより高異方性のエッチング等の一様な表面処理を可能とする。【構成】 プラズマPを発生させるプラズマ室10と、該プラズマ室10で発生したプラズマPからイオン引出電極12で引出されたイオンビームを中性ビームに変換する中性化室14と、該中性化室14で生成した中性ビームを導入し、該中性ビームで被処理基板Sをエッチングする処理室16とを備え、上記中性化室14の内側周囲に離在された2つの第1電極28と、その中間に位置する第2電極30とからなる静電場レンズを配設した。
Claim (excerpt)：
プラズマから引出したイオンビームを中性ビームに変換し、該中性ビームにより被処理体の表面を処理する表面処理装置において、イオンビームを中性ビームに変換する空間に、静電場レンズ及び静磁場レンズの少なくとも一方を、1又は2以上配設したことを特徴とする表面処理装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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