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J-GLOBAL ID：200903010685139619

保護膜の形成方法、配向膜の形成方法、液晶装置及び電子機器

Inventor：
石井 賢哉

About 石井 賢哉


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000156653
Publication number (International publication number)：2001337316
Application date： May. 26, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：
【要約】【課題】 原料の省量化と生産効率の向上を可能にし、駆動回路を保護するための保護膜を基板表面上の所定の領域のみに形成することを可能にする保護膜の形成方法を提供する。配向不良のない均一な配向膜を基板表面上の所定の領域のみに形成することを可能にする配向膜の形成方法を提供する。【解決手段】 保護膜37をインクジェット方式を用いて、基板11の表面上において、少なくともデータ線駆動回路31、走査線駆動回路32が形成された領域を含む所定の領域のみに形成する。保護膜37は、シール材14より外側の領域のみに形成され、かつ、外部回路接続用端子36が形成された領域には形成されないことが望ましい。配向膜18、19をインクジェット方式を用いて、基板11、12の表面上において、少なくとも画素領域30を含みかつシール材14より内側の領域のみに形成する。
Claim (excerpt)：
少なくとも駆動回路と、該駆動回路を外部回路に接続するための外部回路接続用端子とを具備する基板の表面上に、前記駆動回路を保護するための保護膜を形成する方法であって、インクジェット方式により、前記基板の表面上において、少なくとも前記駆動回路が形成された領域を含む所定の領域のみに、高分子を溶媒に溶解した高分子溶液を塗布することにより、高分子溶液膜を形成する工程と、該高分子溶液膜に含有される溶媒を乾燥除去して保護膜とする工程とを有することを特徴とする保護膜の形成方法。
IPC (5)：
G02F 1/1333 505 ,  B41J 2/01 ,  G02F 1/1337 520 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/00 302
FI (5)：
G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1337 520 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/00 302 ,  B41J 3/04 101 Z
F-Term (30)：
2C056FB01 ,  2C056FB08 ,  2C056HA44 ,  2H090HA03 ,  2H090HA08 ,  2H090HB07X ,  2H090HB07Y ,  2H090HC05 ,  2H090HD05 ,  2H090LA04 ,  2H092GA35 ,  2H092GA43 ,  2H092GA44 ,  2H092GA59 ,  2H092MA10 ,  2H092NA25 ,  2H092PA02 ,  2H092PA04 ,  5G435AA14 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435BB15 ,  5G435BB17 ,  5G435EE31 ,  5G435EE40 ,  5G435GG31 ,  5G435KK09 ,  5G435LL07 ,  5G435LL08 ,  5G435LL15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (10)
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