Pat
J-GLOBAL ID：200903010777854128

低電流高速相変化メモリ素子及びその駆動方法

Inventor：
李 世昊

About 李 世昊


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (2)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004107242
Publication number (International publication number)：2004311015
Application date： Mar. 31, 2004
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：
【課題】 低電流高速相変化メモリ素子及びその駆動方法を提供する。【解決手段】 非常に小さいサイズの接触構造を有するメモリセルの結晶質状態の相変化膜に局部的に非晶質核が形成されて結晶質状態より高い初期抵抗を有する状態をセットに、以後、このような非晶質核の状態変化による抵抗増加状態をリセットと定義する相変化メモリ。このような本発明によれば、リセットとセットに必要な電流を数百μm以下に、リセットとセットに必要な時間を数十ないし数百nsに短縮でき、これと共に高集積化と不揮発性に近いメモリ素子の具現も可能である効果がある。【選択図】 図6B
Claim (excerpt)：
相変化メモリセルの相変化膜に数十〜数百μAのリセット電流を10〜100ns間印加して高抵抗状態であるリセットを記録する段階と、 前記相変化膜に数十μAのセット電流を10〜100ns間印加して低抵抗状態であるセットを記録する段階と、 を含むことを特徴とする相変化メモリ素子駆動方法。
IPC (3)：
G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00
FI (3)：
G11C13/00 A ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A
F-Term (13)：
5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR10 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 米国特許第5,177,567号明細書
  • 米国公開特許2003-003647号明細書
  • 米国公開特許2003-001211号明細書
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM