画像表示装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001125219
Publication number (International publication number)：2002318554
Application date： Apr. 24, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】コントラストが高く、かつ製造コストの低い画像表示装置を提供すること。【解決手段】基板上に、複数のゲート線と、該複数のゲート線にマトリクス状に交差する複数の信号線とを有し、ソース領域、ドレイン領域、及びそれらに挟まれたチャネル領域を有する島状半導体層と、該島状半導体層と前記ゲート線と同層のゲート電極との間に形成された第1の絶縁膜と、前記島状半導体層上方に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に設けられた開口部を通して前記ソース領域及び前記ドレイン領域と接触する信号線と同層のソース電極及びドレイン電極とを有する薄膜トランジスタとを有し、前記容量素子は、前記ゲート線と同層の保持電極と、該保持電極上に接して形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に接して形成された前記信号線と同層の電極とで構成されている画像表示装置とする。【効果】コントラストが高く、かつ製造コストの低い画像表示装置を提供できる。

Claim (excerpt)：

基板上に複数の薄膜トランジスタと複数の容量素子を有する画像表示装置であって、前記基板上に、複数のゲート線と、該複数のゲート線にマトリクス状に交差する複数の信号線とを有し、前記薄膜トランジスタは、ソース領域、ドレイン領域、及びそれらに挟まれたチャネル領域を有する島状半導体層と、該島状半導体層と前記ゲート線と同層のゲート電極との間に形成された第1の絶縁膜と、前記島状半導体層上方に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に設けられた開口部を通して前記ソース領域及び前記ドレイン領域と接触する信号線と同層のソース電極及びドレイン電極とを有しており、前記容量素子は、前記ゲート線と同層の保持電極と、該保持電極上に接して形成された第2の絶縁膜と、該第2の絶縁膜上に接して形成された前記信号線と同層の電極とで構成されていることを特徴とする画像表示装置。

IPC (11)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 330 , G09F 9/30 348 , G02F 1/1368 , G09F 9/35 , H01L 21/336 , H01L 21/8234 , H01L 27/06 , H01L 27/08 331 , H01L 27/10 461 , H01L 29/786

FI (10)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 330 Z , G09F 9/30 348 A , G02F 1/1368 , G09F 9/35 , H01L 27/08 331 E , H01L 27/10 461 , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 612 Z , H01L 27/06 102 A

F-Term (69)：

2H092JA26 , 2H092JA46 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA05 , 2H092KA22 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA17 , 2H092MA28 , 2H092NA01 , 2H092NA15 , 2H092NA27 , 5C094AA06 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA15 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5F048AB01 , 5F048AC04 , 5F048AC10 , 5F048BA16 , 5F048BC16 , 5F048BG05 , 5F083AD02 , 5F083AD21 , 5F083HA02 , 5F083JA06 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA33 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083ZA12 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体集積回路の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-023271 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-036163 Applicant：ソニー株式会社
液晶表示パネルの製造方法及び液晶表示パネル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-262267 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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