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J-GLOBAL ID：200903010875963512

ウェーハ支持装置

Inventor：
足立 尚志

About 足立 尚志


Applicant, Patent owner：
住友シチックス株式会社

About 住友シチックス株式会社


Agent (1)： 平井 安雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996093224
Publication number (International publication number)：1997260296
Application date： Mar. 21, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：
【要約】【課題】 本発明はウェーハの熱処理用のボートとして用いられる半導体ウェーハ支持装置に関し、高温処理時にウェーハに傷が付かないようにしてスリップの発生を防ぎ、ウェーハ品質を向上させて歩留まりを良くする半導体ウェーハ支持装置を提供することを目的とする。【解決手段】 所定間隔をおいて対向配設される上下一対の枠部材2と、当該枠部材間に複数本架設され、上下方向に並列に複数のウェーハ挿入溝4が形成される支持棒3とを備える熱処理用のウェーハ支持装置1において、ウェーハ挿入溝4下側のウェーハ支持面の角部がウェーハ自重による曲げ変位量よりわずかに大きい角度で面取りを施されるので、熱処理時のスリップ発生を極力抑制でき、スリップによるウェーハの歩留まり低下を防止でき、製品歩留まりを大きく向上させられる。
Claim (excerpt)：
所定間隔をおいて対向配設される上下一対の枠部材と、当該枠部材間に複数本架設され、上下方向に並列に複数のウェーハ挿入溝が形成される支持棒とを備える熱処理用のウェーハ支持装置において、前記ウェーハ挿入溝下側のウェーハ支持面の角部がウェーハ自重による曲げ変位量よりわずかに大きい角度で面取りを施されることを特徴とするウェーハ支持装置。
IPC (8)：
H01L 21/22 511 ,  C23C 14/50 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/68 ,  B65D 85/86
FI (8)：
H01L 21/22 511 G ,  C23C 14/50 D ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 F ,  H01L 21/324 D ,  H01L 21/68 V ,  B65D 85/38 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 半導体ウェハの熱処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-293758   Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
  • 熱処理用ボート
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-329829   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
  • 熱処理用ボート
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-059742   Applicant：株式会社東芝

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