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J-GLOBAL ID：200903010901739863

ヘテロ構造半導体発光素子

Inventor： ブチャン・ニコラス・アイ ,  ヒューベルゲル・ビリィ ,  ロエントゲン・ペテル
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993334514
Publication number (International publication number)：1994237049
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】 改良されたヘテロ構造半導体レーザダイオードまたは発光ダイオードを提供することにある。【構成】 活性領域31をもつヘテロ構造レーザダイオードは、三元または四元の半導体化合物を有しており、活性領域の半導体化合物の組成は、変調されている。変調は、レーザダイオードのエピタキシャル層へ垂直な、すなわちz軸へ平行な、変調歪プロファイル(Δa/a)、例えば長方形鋸歯状歪プロファイルを有する活性領域を生じる。本発明の要旨は、歪を増大させること、および補償すなわち反対の歪をもつ歪層を挿入することによりミスフィット転位の形成を回避することである。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つがポテンシャル障壁を与える、上側クラッド層(30,80)と下側クラッド層(32,82)との間に埋込まれた四元化合物半導体活性領域(31,81)をもつヘテロ構造半導体発光素子(38,86)において、前記活性領域(31,81)は、相互に積層された圧縮歪および引張り歪サブ層を有し、レーザダイオード層に垂直な変調歪プロファイルを有する活性領域(31,81)を与えることを特徴とするヘテロ構造半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-130988
  
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-158841   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開平3-021093
  
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-061772   Applicant：株式会社日立製作所