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J-GLOBAL ID：200903010908617879

有機EL素子

Inventor： 寺 亮之介 ,  伊藤 俊樹 ,  山本 敦司 ,  鈴木 晴視 ,  尾崎 正明 ,  山内 毅
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000101304
Publication number (International publication number)：2001284042
Application date： Mar. 31, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 基板上に、互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を配置した構造体を備え、該構造体の外表面に有機発光材料を被覆する保護層を有する有機EL素子において、保護層の構造体に対する被覆性を向上させる。【解決手段】 有機EL素子100は、ガラス基板1上に、陽極2、ホール輸送層3、有機発光層4、陰極5を順次形成してなる構造体を備え、この構造体の外表面を被覆して外部環境から保護する保護層6を有する。ここで、保護層6は、成膜温度がホール輸送層3及び有機発光層4のガラス転移点よりも低い温度にて原子層成長法により成膜されたアルミナ膜等よりなる。

Claim (excerpt)：

基板(1)上に、互いに対向する一対の電極(2、5)間に有機発光材料(3、4)を配置した構造体を備える有機EL素子であって、前記構造体の外表面に、前記有機発光材料を被覆する保護層(6)を有し、この保護層が原子層成長法により形成されていることを特徴とする有機EL素子。

IPC (3)：

H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (3)：

H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

F-Term (12)：

3K007AB13 ,  3K007BA06 ,  3K007BB00 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  3K007GA00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 有機EL素子の封止方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-252114   Applicant：出光興産株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-320816   Applicant：富士通株式会社
• 薄膜トランジスタマトリクスとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-335929   Applicant：富士通株式会社
• 原子層蒸着方法で形成したアルミナ/アルミニウムナイトライド複合誘電体膜を持つキャパシタとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-363259   Applicant：三星電子株式会社