ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004371122
Publication number (International publication number)：2006178172
Application date： Dec. 22, 2004
Publication date： Jul. 06, 2006
Summary：

【課題】超LSIや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて、好適に使用することができ、露光ラチチュードが広く、線幅の面内均一性に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】脂環基を有する特定の繰り返し単位を含有する樹脂を2種、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A1)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を含有する樹脂、(A2)一般式(II)で表される繰り返し単位を含有する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。

IPC (4)：

G03F 7/039 , C08F 220/18 , G03F 7/033 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F7/039 601 , C08F220/18 , G03F7/033 , H01L21/30 502R

F-Term (43)：

2H025AA00 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025FA17 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA03R , 4J100BA04P , 4J100BA12P , 4J100BA15Q , 4J100BC02P , 4J100BC03P , 4J100BC03Q , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC08P , 4J100BC08Q , 4J100BC08R , 4J100BC09P , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC12P , 4J100BC12Q , 4J100BC12R , 4J100BC15P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100DA39 , 4J100FA03 , 4J100FA19 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-133816 Applicant：JSR株式会社
ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-032448 Applicant：富士写真フイルム株式会社

Cited by examiner (3)

ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-032448 Applicant：富士写真フイルム株式会社
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-133816 Applicant：JSR株式会社
ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-137840 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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