光半導体装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994204245
Publication number (International publication number)：1996051251
Application date： Aug. 05, 1994
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は、活性層およびガイド層またはその周辺層の結晶性を高めて、発振性能の向上を図る。【構成】 III-V 族化合物半導体からなる半導体基体11上に複数のII-VI 族化合物半導体層12を形成した光半導体装置1 であって、II-VI 族化合物半導体層12のうちのn形伝導のクラッド層22中、またはそのクラッド層22とガイド層24との間に、II-VI 族化合物半導体で形成した超格子23を少なくとも一組以上設けたものである。また、半導体基体11とII-VI 族化合物半導体層12との間に超格子(図示せず)を少なくとも一組以上設けたものである。もしくは、ガイド層24と活性層25との間またはガイド層24中にII-VI 族化合物半導体で形成した超格子(図示せず)が少なくとも一組以上設けたものである。

Claim (excerpt)：

III-V 族化合物半導体からなる半導体基体上に形成した複数のII-VI 族化合物半導体層からなる光半導体装置において、前記II-VI 族化合物半導体層のうちのクラッド層とガイド層との間、または該クラッド層中に、亜鉛,カドミウムおよびマグネシウムのうちの少なくとも1種類とセレン,硫黄およびテルルのうちの少なくとも1種類とからなるII-VI 族化合物半導体で形成した超格子が少なくとも一組以上設けられていることを特徴とする光半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

レーザダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-250912 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭63-245984
特開昭63-240084

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