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J-GLOBAL ID：200903011090847438

強誘電体薄膜素子

Inventor： 松永 宏典 ,  木場 正義
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 川口 義雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995231353
Publication number (International publication number)：1997082906
Application date： Sep. 08, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 膜特性疲労やリーク電流発生が少なく、かつ強誘電体との密着性の良い電極材料を備えた強誘電体薄膜素子を提供する。【解決手段】 Bi系層状ペロブスカイト結晶構造を有する強誘電体薄膜5を備える強誘電体薄膜素子において、Biを含む酸化物電極4を用いる事により、強誘電体5と電極4の界面の仕事関数の差を小さくすると共に、強誘電体と電極との膨脹係数の差による膜中残留応力の発生が抑制される。

Claim (excerpt)：

基板上に下部電極層と強誘電体薄膜と上部電極層とを順番に備える強誘電体薄膜素子であって、前記下部電極層及び前記上部電極層の少なくとも一方が前記強誘電体薄膜を構成する元素を少なくとも一つ含む酸化物導電体からなることを特徴とする強誘電体薄膜素子。

IPC (11)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 397 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22

FI (8)：

H01L 27/10 651 ,  H01G 4/12 397 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ルテニウム酸塩電極を有するコンデンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-119265   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 強誘電体容量素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-235330   Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション