結晶方位の制御されたFCC金属及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：丸岡政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996358174
Publication number (International publication number)：1998195611
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 28, 1998
Summary：

【要約】【課題】結晶方位がランダム方位に制御されているほか、スパッタリングターゲット用材料に要求される諸特性兼備したFCC金属およびその製造方法の提供。【解決手段】スパッタリングターゲット用FCC金属はスパッタ膜の均一性を確保することが重視されるときは特に結晶方位がランダム方位であることが要求される。またこれらFCC金属の中ではCuマトリックスを有するものがエレクトロマイグレーションに優れ、Cuの純度は6N以上が好ましいこと、また膜の均一性の点から平均粒径は200μm以下がよいことが判明するとともに、このようなランダム方位からなるFCC金属を製造するためには、最終熱処理は再結晶をともなう完全焼鈍を施す必要があり、最終加工にはクロス圧延を行うことが必要である等の製造条件が解明されている。

Claim (excerpt)：

X線回折法で測定される結晶の(111)面の積分強度I(111) にたいする(200)面の積分強度I(200) および(220)面の積分強度I(220) の比がそれぞれ、式:I(200) /I(111) ≦2.3I(220) /I(111) ≦1.0の条件を満たす比の値を有していることを特徴とするランダム方位を持つFCC金属。

IPC (11)：

C22F 1/08 , C22C 9/00 , C23C 14/34 , C22F 1/00 606 , C22F 1/00 613 , C22F 1/00 683 , C22F 1/00 685 , C22F 1/00 686 , C22F 1/00 691 , C22F 1/00 , C22F 1/00 694

FI (11)：

C22F 1/08 A , C22C 9/00 , C23C 14/34 A , C22F 1/00 606 , C22F 1/00 613 , C22F 1/00 683 , C22F 1/00 685 Z , C22F 1/00 686 B , C22F 1/00 691 B , C22F 1/00 691 C , C22F 1/00 694 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

機能性Cu皮膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-084580 Applicant：本田技研工業株式会社
金属薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-032225 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-229626

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