電子部品,その製造方法,その実装方法およびその製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992018622
Publication number (International publication number)：1993218046
Application date： Feb. 04, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】電極の間隔が狭くなっても半田の安定供給ができ、実装のやり直しの場合でも基板上に半田供給する必要のない電子部品,電子部品の製造方法および電子部品の製造装置を提供する。【構成】 ICチップ3と、そのICチップ3上に形成されたアルミニウム電極4と、そのアルミニウム電極4上に順次積層された金バンプ5および半田バンプ6よりなる構成で、加熱台上にICチップ3を吸着し、ICチップ3上に金バンプ5を形成する工程と、半田の酸化防止用ガスを供給しながら半田供給装置により半田バンプ6を形成する工程と、半田酸化防止用ガスを供給しながら光照射装置により半田を溶融する工程とを有する電子部品の製造方法および装置よりなる。そして上記電子部品をフラックスの薄い膜上に溶融後の半田バンプ6を浸すことにより、フラックス7を溶融後の半田バンプ6上に転写する工程を経て、基板1上に電子部品を実装する。

Claim (excerpt)：

ICチップと、そのICチップ上に形成されたアルミニウム電極と、そのアルミニウム電極上に順次積層された金バンプおよび半田バンプとを有することを特徴とする電子部品。

IPC (3)：

H01L 21/321 , H01L 21/60 311 , H01R 4/02

FI (2)：

H01L 21/92 F , H01L 21/92 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

バンプ形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-020950 Applicant：松下電子工業株式会社
半田バンプの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-336846 Applicant：株式会社富士通ゼネラル
特開平3-187228

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