プラズマ処理装置及び方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石原勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003033393
Publication number (International publication number)：2003347284
Application date： Feb. 12, 2003
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】マスクパターンを用いずに、低コストで微小領域を処理し、パターンを形成することができるプラズマ処理装置及び方法を提供する。【解決手段】第1の電極1と第2の電極2を対向配置して両電極の間に放電空間Sを形成し、放電空間Sにガス供給手段6にてガスを供給しつつ第1の電極1に高周波電源3にて高周波電力を印加することで放電空間Sにプラズマを発生させ、放電空間Sの開口部7に近接して基板8などの被処理物を臨ませて移動装置10にて相対移動させることにより、マスクパターンを用いずに任意のパターンのプラズマ処理を行うようにした。

Claim (excerpt)：

高周波電源と、高周波電源に接続された第1の電極と第1の電極に対向する第2の電極と第1と第2の電極間のプラズマ放電を生成するための放電空間とを備えたプラズマ発生部と、放電空間にガスを供給するガス供給装置と、放電空間の圧力が100Pa〜200kPaでかつ放電空間の圧力Pと放電空間の厚みDとの積PDを0.1〜120(Pa・m)となるように制御する制御装置と、プラズマ発生部と被処理物を相対移動させる移動装置とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , B01J 19/08 , C23C 16/505 , H01L 21/31 , H05H 1/24

FI (5)：

B01J 19/08 E , C23C 16/505 , H01L 21/31 C , H05H 1/24 , H01L 21/302 101 E

F-Term (41)：

4G075AA29 , 4G075AA30 , 4G075AA62 , 4G075BC01 , 4G075BC06 , 4G075CA15 , 4G075CA25 , 4G075CA62 , 4G075CA63 , 4G075DA02 , 4G075DA12 , 4G075DA18 , 4G075EB42 , 4G075ED04 , 4G075ED13 , 4K030CA17 , 4K030FA01 , 4K030GA04 , 4K030GA14 , 4K030JA01 , 4K030JA09 , 4K030JA18 , 4K030LA11 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BC06 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004DB23 , 5F004EA38 , 5F045AA08 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045BB08 , 5F045DB09 , 5F045DC70 , 5F045EH13 , 5F045EN04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

放電プラズマ処理方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-369483 Applicant：積水化学工業株式会社
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-226037 Applicant：松下電工株式会社
表面処理方法及び装置、圧電素子の製造方法、インクジェット用プリントヘッドの製造方法、液晶パネルの製造方法、並びにマイクロサンプリング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-317025 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体ドライエッチング技術, 19921006, 第1版, p.242-243

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