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J-GLOBAL ID:200903026919342905
プラズマ処理装置及びプラズマ点灯方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西川 惠清 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000193415
Publication number (International publication number):2002008894
Application date: Jun. 27, 2000
Publication date: Jan. 11, 2002
Summary:
【要約】【課題】 プラズマの点灯が確実に行えて始動が良好であり、しかも安価なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下で、片側を吹き出し口1として開放させた反応容器2内で高周波放電プラズマを生成する。生成したプラズマを反応容器2の吹き出し口1よりジェット状に吹き出すプラズマ処理装置に関する。プラズマを点灯するための点灯手段5を備える。インピーダンス整合回路に高電圧がかからないようにしてプラズマを点灯させることができる。
Claim (excerpt):
大気圧近傍の圧力下で、片側を吹き出し口として開放させた反応容器内で高周波放電プラズマを生成し、生成したプラズマを反応容器の吹き出し口よりジェット状に吹き出すプラズマ処理装置において、プラズマを点灯するための点灯手段を備えて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4):
H05H 1/24
, C23C 16/513
, H01L 21/3065
, H05H 1/34
FI (4):
H05H 1/24
, C23C 16/513
, H05H 1/34
, H01L 21/302 B
F-Term (21):
4K030FA01
, 4K030KA30
, 5F004AA14
, 5F004BA03
, 5F004BA04
, 5F004BB12
, 5F004BB13
, 5F004BB28
, 5F004BD01
, 5F004CA02
, 5F004CA07
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB01
, 5F004DB13
, 5F004DB23
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-344735
Applicant:松下電工株式会社
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大気圧プラズマ生成方法および装置並びに表面処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-169011
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-015731
Applicant:ソニー株式会社
-
特開昭58-137999
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特開平2-126690
-
プラズマCVD装置とこれによる機能性堆積膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-270516
Applicant:キヤノン株式会社
-
特開昭58-200529
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