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J-GLOBAL ID：200903011303017841

単一モード光導波路型モジュール及びその製造方法

Inventor： 大川 正浩 ,  上塚 尚登 ,  岡野 広明 ,  樋口 恵一 ,  寺岡 達夫
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994246043
Publication number (International publication number)：1996110427
Application date： Oct. 12, 1994
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 マスクの相対的な位置合せを正確に行うと共に、LD、PDの位置合せを短時間で正確に行うことができる単一モード光導波路型モジュール及びその製造方法を提供する。【構成】 LD4及びPD5をマウントするためのベンチ12が残るように基板1の表面をエッチングし、基板1上のベンチ12以外の部分にバッハァ層2を形成し、バッファ層2の上に導波路コア9を形成し、ベンチ12にLD4及びPD5のアライメント用インデックス10を形成し、インデックス10が形成された基板1上にクラッド層3を形成し、ベンチ12を露出させ、クラッド層3にLD4への電流供給とPD5からの電流を取り出すための電極7を形成し、LD4及びPD5を気密封止するふた6を接着するための気密用金属膜13を形成し、電極7とふた6との絶縁を保つための絶縁膜14を形成することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基板上に単一モード光導波路を形成する単一モード光導波路型モジュールの製造方法において、発光素子及び受光素子をマウントするためのベンチが残るように基板の表面をエッチングする工程と、該基板上のベンチ以外の部分にバッファ層を形成する工程と、該バッファ層の上に導波路コアを形成する工程と、上記ベンチに発光素子及び受光素子のアライメント用インデックスを形成する工程と、該インデックスが形成された基板上にクラッド層を形成する工程と、上記ベンチを露出させるため上記クラッド層に深溝エッチングを施す工程と、上記クラッド層に上記発光素子への電流供給と上記受光素子からの電流を取り出すための電極を形成する工程と、上記発光素子及び上記受光素子を気密封止するふたを接着するための気密用金属膜を形成する工程と、上記電極と上記ふたとの絶縁を保つための絶縁膜を形成する工程とからなることを特徴とする単一モード光導波路型モジュールの製造方法。

IPC (3)：

G02B 6/13 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/42

FI (2)：

G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-131104
  
• 半導体レーザモジュールの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-318286   Applicant：富士通株式会社
• 光導波路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-051731   Applicant：住友電気工業株式会社