パーティクル制御方法及びプラズマ処理チャンバー

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998516558
Publication number (International publication number)：2001501379
Application date： Sep. 17, 1997
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】基板ホルダーと、ライナー、フォーカス・リング又はガス分配プレートのような窒化シリコンの部材とを備えるプラズマ処理チャンバーであって、この部材は、基板ホルダーの近くに露出面を有し、この露出面は、基板の処理の際のパーティクル汚染を最少にするために効果的である。このチャンバーは、ガス分配プレートを通してRFエネルギーに誘導的に結合してプラズマ・ガスにエネルギーを与えてプラズマ状態にする。

Claim (excerpt)：

基板を処理すると共に該基板のパーティクル汚染を低減する方法であって、 (a)窒化シリコンをベースとする材料を含んで構成され、基板の近くに露出した面を有する部材を含む処理チャンバー内の基板ホルダー上に基板を載置する工程と、 (b)処理チャンバーに処理ガスを供給し、該処理チャンバー内で処理ガスにエネルギーを与えてプラズマ状態にすることによって前記基板を処理する工程と、 (c)前記処理チャンバーから前記基板を取り出す工程と、 (d)前記窒化シリコン部材の上に無欠のパッシベイティング層を形成すること、及び/又は、前記窒化シリコン部材のプラズマによって攻撃される部分からパーティクルを発生させずに該部分を揮発させることによって、処理の際の基板のパーティクル汚染を最少にしながら、前記処理チャンバーの中で(a)〜(c)工程を繰り返すことによって連続的に他の基板を処理する工程とを含むことを特徴とする方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , C23C 16/505 , H01J 37/32 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 B , C23C 16/505 , H01J 37/32 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-027498 Applicant：ソニー株式会社
プラズマ処理装置の制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-284211 Applicant：東京エレクトロン株式会社
特開平2-229431

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