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J-GLOBAL ID：200903011410551796

半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法

Inventor：
青木 秀充

About 青木 秀充

, 
富盛 浩昭

About 富盛 浩昭


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999329324
Publication number (International publication number)：2001148385
Application date： Nov. 19, 1999
Publication date： May. 29, 2001
Summary：
【要約】【課題】 銅または銅合金よりなる金属配線と、銅拡散抑止絶縁膜との間の密着性不良の問題を解決し、かつ、ヒロックの発生を防止した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 スピン洗浄工程24で銅表面を清浄化した後に防食処理工程25で、ウェハ表面を処理し、Cu配線17の表面を防食処理する。防食液は、1%のBTAを添加したBTA水溶液を用意し、半導体ウェハを回転させながら、BTA水溶液を1リットル/分の流量で10秒間、ウェハ表面に吹きかけ、Cu膜の防食を行う。Cu配線17の表面にCu-BTA化合物が防食膜として生成されるので、大気中に放置してもCu配線の表面が酸化されない。このため、その後にSi3 N4 膜を成膜しても、Cu/Si3 N4 界面の良好な密着性が得られる。
Claim (excerpt)：
銅または銅合金が露出した半導体基板の表面に銅拡散抑止絶縁膜を成膜する前に、防食剤を添加した水溶液で防食処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 647
FI (3)：
H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 K
F-Term (24)：
5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033XX16 ,  5F033XX18 ,  5F033XX20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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