プラズマ処理方法及びその装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995115655
Publication number (International publication number)：1996181125
Application date： May. 15, 1995
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】基板表面への電荷蓄積によるデバイスへのダメージを抑制し、かつ高速・異方性エッチングを両立して行うプラズマ処理方法を提供する。【構成】放電用の高周波電界を10〜100μ秒でパルス変調してプラズマを生成し、プラズマ中の基板電極へ600kHz以下のRF電界を印加する。【効果】通常の連続プラズマ放電中では正イオンの10%未満程度の負イオンが生成され、負イオンはアフターグロープラズマ中では正イオンと同程度まで上昇する。この時定数である10〜100μ秒程度のパルス変調プラズマでは負イオンの生成効率が連続放電に比べ圧倒的に大きい。この時600kHz以下のRF電界を印加すると質量の重いイオンも十分追従して加速され、基板表面に正イオン・負イオンが半周期ずつ入射する。従って電荷蓄積が抑制され、正イオンだけでなく負イオンもエッチングに寄与でき、エッチング速度が高められる。

Claim (excerpt)：

プラズマ生成室内で高周波によって発生する電場を利用して処理ガスをプラズマ化し、該プラズマを基板に照射して基板処理を行うプラズマ処理方法において、放電用高周波電界を10〜100μ秒の範囲でパルス変調するとともに、該プラズマ中に設置された基板電極へ600kHz以下のRF電界を印加することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-236629
プラズマエッチング方法とその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-334488 Applicant：日本電気株式会社
特開昭64-073620

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