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J-GLOBAL ID：200903011530466377
多層基板からなるセンサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
矢野 敏雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996017750
Publication number (International publication number)：1996248062
Application date： Feb. 02, 1996
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：
【要約】【課題】 電極の非常に良好なコンタクトが可能となるセンサを提供すること。【解決手段】 電極を高濃度ドーピングし、低濃度ドーピングされた接続素子を第1のシリコン層から引き出して構成し、リード導体を接続素子を介して電極に接続させるようにする。
Claim (excerpt)：
第1のシリコン層(6)と、電気的リード導体(11)とを有し、前記シリコン層(6)からは少なくとも1つの電極(21,22,31,32)が引き出されて形成されており、前記リード導体(11)は第1のシリコン層(6)の表面に配設され前記電極(21,22,31,32)の接続のために用いられる、多層基板からなるセンサにおいて、前記電極(21,22,31,32)は、高濃度ドーピングされており、低濃度ドーピングされた接続素子(10)が第1のシリコン層(6)から引き出されて形成されており、前記リード導体(11)は接続素子(10)を介して電極(21,22,31,32)に接続されていることを特徴とする、多層基板からなるセンサ。
IPC (2)：
FI (2)：
G01P 15/125
, H01L 29/84 Z
Cited by examiner (6)
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