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J-GLOBAL ID:200903011543762919

改質反応装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (8): 三好 秀和 ,  三好 保男 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  栗原 彰 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003089036
Publication number (International publication number):2004292265
Application date: Mar. 27, 2003
Publication date: Oct. 21, 2004
Summary:
【課題】改質反応装置における性能の低下を防止し、装置の小型化を図ることを課題とする。【解決手段】改質層4、熱供給層5、ならびに水素透過層1が積層されてなる改質反応装置において、熱供給層5ならびに改質層4におけるガスの流れ方向が互いに平行であり、改質層4を流れる改質ガスの上流部で、かつ水素分離膜7と対向していない位置の改質層4に予備改質部2が設けられて構成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
改質反応を行う改質層と、前記改質層で行われる改質反応で使用される熱を供給する熱供給層と、水素分離膜を介して改質反応で得られた改質ガスから水素を選択的に透過する水素透過層とが積層されてなる積層型の改質反応装置において、 前記熱供給層ならびに前記改質層におけるガスの流れ方向が互いに平行であり、前記改質層を流れる改質ガスの上流部で、かつ前記水素分離膜と対向していない位置の前記改質層に予備改質部が設けられていることを特徴とする改質反応装置。
IPC (1):
C01B3/38
FI (1):
C01B3/38
F-Term (9):
4G140EA02 ,  4G140EA03 ,  4G140EA06 ,  4G140EB04 ,  4G140EB12 ,  4G140EB18 ,  4G140EB19 ,  4G140EB37 ,  4G140EB48
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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