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J-GLOBAL ID：200903011547181287

光電変換素子およびその製造方法

Inventor：
平田 亜紀

About 平田 亜紀


Applicant, Patent owner：
スタンレー電気株式会社

About スタンレー電気株式会社


Agent (1)： 秋元 輝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999165482
Publication number (International publication number)：2000353828
Application date： Jun. 11, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：
【要約】【課題】 従来の光電変換素子の製造方法においては生産ライン内でケース部などの成型を行うものであったので、高価な生産設備が必要となりコストアップすると共に、生産ラインの機動性が失われる問題点を生じていた。【解決手段】 本発明により、リードフレーム1とケース部4とにはLEDチップ2が搭載された側の面から背面側に達する位置決め手段を設けて係合させ、背面から熱可塑性の接着剤による接着シート5と貼着すると共にベース部6を重ね合わせ、この状態でケース部4とベース部6とでリードフレーム1を挟む方向への加圧を行いながらて加熱して接着シート5を溶融させリードフレーム、ケース部、ベース部の一体化を行う光電変換素子10の製造方法としたことで、通常の成型機で予めに成型しておいたケース部あるいはベース部を採用可能として、コストダウンとラインの機動性の向上とを共に可能とする。
Claim (excerpt)：
リードフレームの半導体チップが搭載された側の面からケース部を係合させておき、その背面から熱可塑性の接着剤による接着シートを貼着すると共にベース部を重ね合わせ、この状態で前記ケース部と前記ベース部とで前記リードフレームを挟む方向への加圧を行いながら加熱して接着シートを溶融させ前記リードフレーム、ケース部、ベース部の一体化を行うことを特徴とする光電変換素子の製造方法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 31/00
FI (2)：
H01L 33/00 N ,  H01L 31/00 B
F-Term (8)：
5F041AA31 ,  5F041DA17 ,  5F041DA43 ,  5F041DA61 ,  5F041DA71 ,  5F088JA02 ,  5F088JA06 ,  5F088JA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開昭50-068095
  • 半導体式センサ及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-220296   Applicant：三菱電機株式会社
  • 特開昭63-144551
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