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J-GLOBAL ID：200903011595750048
半導体光増幅装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999282571
Publication number (International publication number)：2001111177
Application date： Oct. 04, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：
【要約】【課題】 放射損失を低く抑えた上で、高い利得を実更することができ、これにより高利得の半導体光増幅器を再現性、生産性よく得ることを目的とする。【解決手段】 活性領域10を有する第一の光導波路を持つ半導体光増幅装置において、前記第一の光導波路の光導波方向は半導体基板の結晶面方位と垂直又は平行であり、スポットサイズ変換領域11を有する第二の光導波路が前記第一の光導波路に接続され、前記第二の光導波路は、曲線導波路部11bを有し、かつ、前記半導体基板の端面と斜行することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
活性領域を有する第一の光導波路を持つ半導体光増幅装置において、前記第一の光導波路の光導波方向は半導体基板の結晶面方位と垂直又は平行であり、スポットサイズ変換領域を有する第二の光導波路が前記第一の光導波路に接続され、前記第二の光導波路は、曲線導波路部を有し、かつ、前記半導体基板の端面と斜行することを特徴とする半導体光増幅装置。
F-Term (9)：
5F073AB12
, 5F073BA01
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073DA25
, 5F073EA23
, 5F073EA28
Cited by examiner (3)
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半導体光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-264224
Applicant：日本電気株式会社
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半導体光導波路機能素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-113829
Applicant：日本電信電話株式会社
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光導波路デバイス
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平2-406230
Applicant：日本電信電話株式会社
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