半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996246697
Publication number (International publication number)：1998092954
Application date： Sep. 18, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】高集積度、低消費電力、高速動作のSRAMを実現すること。【解決手段】記憶信号を蓄積する記憶信号蓄積部として、低レベルの電圧電源Vssと高レベルの電圧電源Vddとの間に順方向接続された3端子エサキ・トンネル素子ETと、この3端子エサキ・トンネル素子ETと電圧電源Vddとの間に設けられ、3端子エサキ・トンネル素子ETに対して直列接続された負荷Lとからなるものを用いる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、第1の電圧電源に接続され、前記半導体基板の表面に選択的に形成された第1導電型のソース拡散層と、このソース拡散層とは別の領域に前記半導体基板の表面に選択的に形成された第2導電型のドレイン拡散層と、これら2つの拡散層に挟まれる領域の基板表面上にゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極とからなる第1の3端子エサキ・トンネル素子と、一端が前記ドレイン拡散層、他端が第2の電圧電源に接続された負荷とにより構成された記憶信号蓄積部を有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 21/8244 , H01L 27/11 , G11C 11/38

FI (2)：

H01L 27/10 381 , G11C 11/38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-196321 Applicant：日本電気株式会社
記憶装置、その情報読出し方法、情報書込み方法および記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-256701 Applicant：富士通株式会社
半導体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-347034 Applicant：富士通株式会社

Show all

Return to Previous Page