パターン形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柿本恭成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995110503
Publication number (International publication number)：1996305036
Application date： May. 09, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】矩形なパターンを形成する。【構成】シリコンウェハー11上のアモルファスカーボン12を形成した後、化学増幅型ポジレジスト13を形成して、露光、PEBを行う。光アッシングにより、化学増幅型ポジレジスト13を除去する。化学増幅型ポジレジスト15を塗布した後、パターン用マスク16を用いて、露光する。アモルファースカーボン14の表面には酸が含まれているので、レジスト15を露光、PEB処理した際に発生する酸の失活が発生しない。次に、レジスト15を現像して、パターン17を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に酸をトラップし易い薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に酸発生剤を含有したレジストを塗布する工程と、前記レジストにエネルギー照射して酸を発生させる工程と、前記レジストを除去する工程と、前記薄膜上に化学増幅型レジストを塗布する工程と、前記化学増幅型レジストを選択的にエネルギー照射し、現像によりパターンを形成する工程とを、含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/26 , G03F 7/004 503 , G03F 7/11 503 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/26 , G03F 7/004 503 , G03F 7/11 503 , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

レジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-202278 Applicant：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
特開平4-077746
特開平4-077746

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