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J-GLOBAL ID：200903011650434690

歩留りベースの光近接効果補正法を用いたマスク・パターン生成方法

Inventor：
フランツ・クサヴァー・ツァッハ

About フランツ・クサヴァー・ツァッハ


Applicant, Patent owner：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

About インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション


Agent (3)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004269154
Publication number (International publication number)：2005092212
Application date： Sep. 16, 2004
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：
【課題】歩留りに基づく修正メリット関数を使用した光近接補正法を提供すること。【解決手段】レイアウト・ジオメトリに関係した既知の故障メカニズムを使用して、エッジ・フィーチャなどのレイアウト・フィーチャ間の距離値に基づく歩留り関数を導き出す。予測レイアウト・パターン上のエッジ点と設計レイアウト・パターン上の対応点との比較では、まず最初に歩留りテストを実施し、その後に予測レイアウト・パターン上の点を歩留りがより高い位置へ移動させる。歩留りが許容しうる場合、それ以上の移動は実施しない。点を段々と移動させた結果、許容しうる歩留りに到達する前に許容される近接範囲内に入った場合には、他の考慮事項のためにその点にフラグを立てる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上にレイアウト・フィーチャをリソグラフィによって作製する際に使用するのに適合したマスクのパターンを生成する方法であって、 設計レイアウトの設計マスク・パターンを提供するステップと、 前記設計マスク・パターンから予測されるレイアウト・パターンを提供するステップと、 前記設計マスク・パターンと前記予測レイアウト・パターンのエッジ・フィーチャ位置の関連するサンプリング点間の距離に基づく歩留り曲線を提供するステップと、 前記歩留り曲線から前記予測レイアウト・パターンのエッジ・フィーチャ位置の歩留り値を求めるステップと を含む方法。
IPC (2)：
G03F1/08 ,  H01L21/027
FI (2)：
G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P
F-Term (3)：
2H095BA01 ,  2H095BB01 ,  2H095BB02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第6578190号
Cited by examiner (3)

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