基板洗浄方法および基板洗浄装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川崎実夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998119374
Publication number (International publication number)：1999312658
Application date： Apr. 28, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】基板表面の金属に損傷を与えることなく、基板表面を良好に洗浄する。【解決手段】ウエハW上では、金属配線1に接続された配線プラグ4と、シリコン酸化膜2とが露出している。配線プラグ4は、金属膜4aをメタルCMP処理によって平坦化することによって形成されたものである。したがって、シリコン酸化膜2の表面には、パーティクルや金属汚染物質が付着しており、これらの一部はシリコン酸化膜2の表面に強固に付着(吸着)しており、また、一部は、シリコン酸化膜2の内部に侵入している。このウエハWに対して、希BHF(希釈されたバッファードふっ酸水溶液)が洗浄液として供給される。【効果】希BHF中のふっ酸の作用により、パーティクルおよび金属汚染物質を効果的に除去できる。また、希BHFは弱酸性なので、配線プラグを過剰に腐食することがない。

Claim (excerpt)：

ふっ酸およびふっ化アンモニウムを含む水溶液からなる洗浄液を基板表面に供給して基板を洗浄する洗浄液供給ステップを含むことを特徴とする基板洗浄方法。

IPC (6)：

H01L 21/304 647 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304 644 , B08B 3/08 , C11D 7/08 , C11D 7/50

FI (6)：

H01L 21/304 647 Z , H01L 21/304 622 Q , H01L 21/304 644 C , B08B 3/08 A , C11D 7/08 , C11D 7/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

基板の洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-068335 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-226377 Applicant：シャープ株式会社
ウエットプロセス装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-171230 Applicant：深田純子

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