ドライエッチング方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994046819
Publication number (International publication number)：1995263409
Application date： Mar. 17, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】ドライエッチング方法において、エッチングガスとして酸素ガスを添加することにより、高選択比でかつ安定したエッチング特性を維持したシリコン酸化膜のドライエッチングを行う。【構成】シリコン酸化膜構造のウェハ(8)をCF系ガスおよびO2ガスの混合ガスのプラズマによりエッチング処理する。【効果】高選択比でシリコン酸化膜をエッチングできる。また安定したエッチング特性を維持することができる。

Claim (excerpt)：

マイクロ波と磁界によりプラズマを発生させ、半導体基板を設置した電極に高周波電力を印加することにより半導体基板上に形成したシリコン酸化膜をエッチングするドライエッチング方法において、前記エッチングガスとしてCxFyガスとO2ガスとの混合ガスを用いたことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 F , H01L 21/302 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-105281 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-278360 Applicant：住友金属工業株式会社, 三菱電機株式会社
特開平4-106922

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