真空マイクロデバイスおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996071904
Publication number (International publication number)：1997259740
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】電界放出型冷陰極構造の真空マイクロデバイスでは、第一電極(エミッタ電極)の尖った先端付近に設けられた第二電極(ゲート電極)が印加電圧によって第一電極先端に曲げられ、かつ形状ばらつきが生じる。【解決手段】エミッタ電極11の尖った先端付近に設けられたゲート電極13を、先端から離れるに従ってその厚さが厚くなる形状とする。これにより機械的剛性が増大される。また、ゲート電極13がシリコン基板に設けた不純物層で形成することにより、従来のエッチバックプロセスが不要となり、形状ばらつきが解消され、かつ製造が容易なものとなる。

Claim (excerpt)：

表面側に先端を尖らせた形状部が設けられた第一の電極と、前記尖らせた形状部分を除く前記第1の電極の表面上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された第二の電極とを備える真空マイクロデバイスにおいて、前記第二の電極は、前記第一の電極の尖らせた形状部分から離れる方向に向けてその電極厚さが厚くされていることを特徴とする真空マイクロデバイス。

IPC (3)：

H01J 1/30 , H01J 9/02 , H01J 19/24

FI (3)：

H01J 1/30 B , H01J 9/02 B , H01J 19/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電界放出型冷陰極およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-332043 Applicant：株式会社東芝
電子放出素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-200356 Applicant：株式会社東芝
化学・機械研磨法を用いた冷陰極エミッタ先端部の周囲にセルフアライン型のゲート構造体を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-047162 Applicant：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド

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