Pat

J-GLOBAL ID：200903011898435323

半導体装置

Inventor： 山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995211195
Publication number (International publication number)：1997045927
Application date： Jul. 27, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【目的】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、配線の接触不良や信頼性の問題を解決する。【構成】 薄膜トランジスタのドレイン110と画素電極であるITO電極114との接続を119で示されるチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層膜で構成する。この場合、半導体とチタン膜、ITOとチタン膜とが接触することになるので、接触不良や信頼性の低下を抑制することができる。またアルミニウム配線の特徴である低抵抗性を得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体と酸化物導電膜とを接続する配線を有し、前記配線はチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層構造を有し、前記チタン膜の一方と半導体とが接触しており、前記チタン膜の他方と酸化物導電膜とが接触していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 29/78 612 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-303424   Applicant：日本電気株式会社
• 液晶表示装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-316287   Applicant：松下電器産業株式会社
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-326770   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (3)

• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-326770   Applicant：株式会社東芝
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-303424   Applicant：日本電気株式会社
• 液晶表示装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-316287   Applicant：松下電器産業株式会社