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J-GLOBAL ID：200903011938665904

交流磁場を用いた導電性薄膜の熱処理方法

Inventor： 中原 康雄
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996224117
Publication number (International publication number)：1998070130
Application date： Aug. 26, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 導電性薄膜を短時間低コストで均一に再現性よく熱処理すること。【解決手段】 絶縁基板及び絶縁基板17上に成膜されている比抵抗1010Ωcm以下のa-Si等の半導体に分類される導電性薄膜1に対して、導電性薄膜1の表面に垂直な交流磁場15を周波数f≧1Hz、磁界の強さH≧1V/cmの条件で印加し、導電性薄膜中に発生する誘導電流16により、絶縁体と半導体との積層体であっても、半導体だけが選択的に誘導加熱されるようにする。

Claim (excerpt)：

交流磁場を印加することにより導電性薄膜を加熱することを特徴とする熱処理方法。

IPC (8)：

H01L 21/324 ,  G05D 23/19 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/324 Z ,  G05D 23/19 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 627 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体薄膜の結晶化法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-138322   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開平4-034888
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-225528   Applicant：ティーディーケイ株式会社