磁気素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998039342
Publication number (International publication number)：1999238923
Application date： Feb. 20, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】所望の出力電圧値を得るために、強磁性トンネル接合素子に流す電流値を増やしても磁気抵抗変化率の減少が少なく、大きな出力電圧が得られる磁気素子が求められている。【解決手段】トンネル電流を流し得る厚さを有する絶縁層3と、この絶縁層3を挟持するように配置された第1および第2の強磁性膜2、4とを具備する磁気素子1であって、第1および第2の強磁性膜2、4の少なくとも一方は非磁性体6で分断されている。あるいは、誘電体マトリックス中に分散させた強磁性微粒子を有し、かつ保磁力を持つグラニュラー磁性膜と、このグラニュラー磁性膜と近接配置された強磁性膜とを具備し、グラニュラー磁性膜と強磁性膜との間にトンネル電流を流す磁気素子であって、強磁性膜は非磁性体で分断されている。

Claim (excerpt)：

トンネル電流を流し得る厚さを有する絶縁層と、前記絶縁層を挟持するように配置された第1の強磁性膜および第2の強磁性膜とを具備する磁気素子において、前記第1の強磁性膜および第2の強磁性膜の少なくとも一方は非磁性体で分断されていることを特徴とする磁気素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39

FI (3)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁気抵抗効果素子及び磁気情報再生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-060612 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗素子用多層膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-080602 Applicant：アルプス電気株式会社
磁気抵抗効果膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-284734 Applicant：株式会社日立製作所

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