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J-GLOBAL ID：200903011966010557

2-オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン-3-オン誘導体及びその製造法

Inventor： 井上 慶三
Applicant, Patent owner： ダイセル化学工業株式会社
Agent (1)： 後藤 幸久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001008716
Publication number (International publication number)：2002212174
Application date： Jan. 17, 2001
Publication date： Jul. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 レジスト用樹脂等の原料などとして有用な新規な2-オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン-3-オン誘導体を得る。【解決手段】 本発明の2-オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン-3-オン誘導体は、下記式(1)【化1】(式中、Rは水素原子又はメチル基を示し、R1は炭化水素基又は-ORa基を示し、R2は水素原子、炭化水素基、-ORa基又は-CO2Ra基を示し、R3は水素原子又は炭化水素基を示し、R4は水素原子又は炭化水素基を示す。前記Raは水素原子又は炭化水素基を示す)で表される。

Claim (excerpt)：

下記式(1)【化1】(式中、Rは水素原子又はメチル基を示し、R1は炭化水素基又は-ORa基を示し、R2は水素原子、炭化水素基、-ORa基又は-CO2Ra基を示し、R3は水素原子又は炭化水素基を示し、R4は水素原子又は炭化水素基を示す。前記Raは水素原子又は炭化水素基を示す)で表される2-オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン-3-オン誘導体。

F-Term (2)：

4C037AA02 ,  4C037UA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパタ-ン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-255167   Applicant：信越化学工業株式会社
• ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-188853   Applicant：日本電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Studies on the synthesis of the spiroketal fragment of azadirachtin(I)