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J-GLOBAL ID：200903011988215381

100ナノメーター未満の直径とアスペクト比が1を越えるように発達させた無機質微細ロッドおよび前記ロッドの製造方法。

Inventor：
村越 敬

About 村越 敬


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 宮本 晴視
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999238618
Publication number (International publication number)：2001064794
Application date： Aug. 25, 1999
Publication date： Mar. 13, 2001
Summary：
【要約】【目的】 偏光の照射または偏光の照射と空間電位勾配との組み合わせにより、無機質微粒子のプラズマ励起により方位異方的に前記微粒子を結合乃至伸張して、100ナノメーター未満の直径とアスペクト比が1を越えるまで発達させた微細ロッドを提供すること。【構成】 可視光乃至近赤外光領域の偏光の入射により前記偏光に関連したプラマ振動を誘起される無機質微粒子を個体表面上に担持させたものを、誘電体媒質中に配置し、前記偏光を照射して前記固体表面で前記微粒子を前記プラズマ振動励起に対応して線状に結合させ乃至誘電体媒質中の無機イオンを析出伸張させることによって前記無機質からなる10ナノメーター未満の直径とアスペクト比が1を越えるまで発達させた微細ロッドを前記固体表面に形成する方法、および前記偏光の照射と空間電位勾配との組み合わせた前記微細ロッドの形成方法。
Claim (excerpt)：
偏光の入射により前記偏光に関連したプラマ振動誘起(プラズモン励起)される無機質微粒子を個体表面上に担持させたものを、誘電体媒質中に配置し、前記偏光を照射して前記固体表面で前記微粒子を前記プラズマ振動励起に対応して線状に結合させ乃至誘電体媒質中の無機イオンを析出伸張させることによって得られた前記無機質からなる100ナノメーター未満の直径とアスペクト比が1を越えるまで発達させた微細ロッド。
IPC (4)：
C25D 3/02 ,  C23C 18/14 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205
FI (4)：
C25D 3/02 ,  C23C 18/14 ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/88 B
F-Term (41)：
4K022AA02 ,  4K022AA05 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA06 ,  4K022BA08 ,  4K022BA09 ,  4K022BA14 ,  4K022BA18 ,  4K022BA31 ,  4K022CA28 ,  4K022DA08 ,  4K022DB12 ,  4K022DB30 ,  4K023AA04 ,  4K023AA12 ,  4K023AA13 ,  4K023AA14 ,  4K023AA19 ,  4K023AA24 ,  4K023AA25 ,  4K023AA26 ,  4K023AA27 ,  4K023AA28 ,  4K023AA29 ,  4K023BA06 ,  4K023BA08 ,  4K023BA11 ,  4K023BA13 ,  4K023DA07 ,  4K023DA11 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104DD31 ,  5F033PP00 ,  5F033WW01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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