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J-GLOBAL ID:200903012093311500

半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路チップ装置及び半導体集積回路カード

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 松隈 秀盛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998297162
Publication number (International publication number):2000118175
Application date: Oct. 19, 1998
Publication date: Apr. 25, 2000
Summary:
【要約】【課題】 強度が高く、形状や封止厚のばらつきの少ない半導体集積回路チップ装置を得ることのできる半導体集積回路チップの封止方法を提案する。【解決手段】 回路パターンの形成された基板FB上に半導体集積回路チップCPを接着すると共に、その半導体集積回路チップCPの電極を回路パターンに接続し、その半導体集積回路チップCPの上に封止用樹脂SP′を所定量塗布し、塗布された封止用樹脂SP′上に補強金属板MPを配すると共に、その補強金属板MPを介して封止用樹脂SP′を加圧して、その封止用樹脂SP′を半導体集積回路チップCPの周面に流れ込ませ、半導体集積回路チップCPの周面に流れ込まれた封止用樹脂SP′を硬化させるようにする。
Claim (excerpt):
回路パターンの形成された基板上に半導体集積回路チップを接着すると共に、該半導体集積回路チップの電極を上記回路パターンに接続し、該半導体集積回路チップの上に封止用樹脂を所定量塗布し、上記塗布された封止用樹脂上に補強金属板を配すると共に、該補強金属板を介して上記封止用樹脂を加圧して、該封止用樹脂を上記半導体集積回路チップの周面に流れ込ませ、上記半導体集積回路チップの周面に流れ込まれた上記封止用樹脂を硬化させることを特徴とする半導体集積回路チップの封止方法。
IPC (3):
B42D 15/10 521 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28
FI (3):
B42D 15/10 521 ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/28 Z
F-Term (19):
2C005NB34 ,  2C005PA18 ,  2C005PA26 ,  4M109AA02 ,  4M109BA04 ,  4M109CA05 ,  4M109CA22 ,  4M109EA02 ,  4M109EC09 ,  4M109ED01 ,  4M109EE01 ,  4M109GA03 ,  5F061AA02 ,  5F061BA04 ,  5F061CA05 ,  5F061CA22 ,  5F061CB03 ,  5F061CB04 ,  5F061FA03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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