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J-GLOBAL ID：200903012102809827

多層配線構造体及び半導体装置の製造方法

Inventor：
山田 雅基

About 山田 雅基


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999264222
Publication number (International publication number)：2001085518
Application date： Sep. 17, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 半導体装置の多層配線形成において、絶縁膜に配線溝又は接続孔のエッチング時に、配線を構成する金属のトランジスタへの拡散を防止するようにフォトレジストにエッジカット領域を備えるようにする。【解決手段】 銅又は銅合金の金属配線を有する多層配線の形成工程において、絶縁膜に配線溝113もしくは配線溝及び接続孔をエッチング形成する際に、上層の絶縁膜104のエッチング用のフォトレジスト105に形成されたエッジカット領域を絶縁膜104の外側にずらす。そして、配線溝113に銅又は銅合金を埋め込む。その後銅の拡散を防止する拡散防止膜を絶縁膜104上に形成する。半導体基板に多層配線を形成する工程中において、配線を構成する銅のトランジスタへの拡散を有効に防止することができる。また拡散防止膜及び絶縁膜間の剥がれを少なくすることができる。
Claim (excerpt)：
金属配線又は金属接続配線もしくは金属配線及び金属接続配線が埋め込まれ、且つエッジカット領域を有する絶縁膜を複数層積層してなる多層配線構造を有する半導体基板を具備し、上層の絶縁膜のエッジカット領域は、下層の絶縁膜のエッジカット領域の外側まで延在しており、前記積層された絶縁膜の少なくとも1層は、銅もしくは銅合金からなる金属配線又は金属接続配線もしくは金属配線及び金属接続配線が埋め込まれていることを特徴とする多層配線構造体。
F-Term (26)：
5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033SS13 ,  5F033TT02 ,  5F033XX28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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