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J-GLOBAL ID：200903079926219627

銅配線の形成方法および銅配線の形成された半導体ウエハ

Inventor：
井口 学

About 井口 学


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999248635
Publication number (International publication number)：2001077113
Application date： Sep. 02, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：
【要約】【課題】銅配線を多層に積層した構造の多層配線を形成する際に、ウエハ周縁近傍における銅膜およびバリアメタルの堆積を防止し、膜剥がれによるウエハや装置の汚染を防止すること。【解決手段】ウエハ周縁近傍領域26において、シリコン酸化膜8の周縁部がシリコン酸化膜3の周縁部よりも外側に位置するようにし、銅膜6等からなる銅配線を形成する際に生じる研磨残り21をシリコン酸化膜8により覆う構造とする。
Claim (excerpt)：
(a)半導体ウエハの全面に第一の絶縁膜を形成した後、エッチングにより第一の絶縁膜中に溝を形成するとともに、半導体ウエハの周縁に沿って第一の絶縁膜を除去し、第一の絶縁膜の周縁部をウエハ周縁部の内側に後退させる工程と、(b)半導体ウエハの全面にバリアメタル膜および銅膜をこの順で形成した後、これらの膜を化学的機械的研磨により研磨し、前記溝に銅配線を形成する工程と、(c)半導体ウエハの全面に第二の絶縁膜を形成した後、半導体ウエハの周縁に沿って第二の絶縁膜を除去し、第二の絶縁膜の周縁部をウエハ周縁部の内側に後退させる工程とを有し、工程(c)終了後の第二の絶縁膜の周縁部が、工程(a)終了後の第一の絶縁膜の周縁部の外側に位置するようにしたことを特徴とする銅配線の形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 622
FI (3)：
H01L 21/88 M ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/88 K
F-Term (32)：
5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN39 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT00 ,  5F033TT01 ,  5F033WW01 ,  5F033XX21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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