Pat

J-GLOBAL ID：200903012134367788

マイクロ波プラズマ処理装置

Inventor： 片山 克生 ,  小町 恭一 ,  馬渕 博嗣 ,  秋元 健司
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社 ,  住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994132032
Publication number (International publication number)：1996003770
Application date： Jun. 14, 1994
Publication date： Jan. 09, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 プラズマ電位を安定させ、試料保持部を通して試料に高周波を印加した場合に試料表面に発生するバイアス電圧を安定させる。【構成】 マイクロ波発振器23と、マイクロ波を伝送する導波管22と、それに接続された誘電体線路21と、それに対向配置されたマイクロ波導入窓14を有する反応器11と、その内に配設された試料保持部15aと、それに高周波を印加する高周波電源18と、マイクロ波導入窓14と試料保持部15aとの間に設けられ、マイクロ波透過孔30aを有するアースされた導電体板30とを備えたプラズマ処理装置において、導電体板30の面積に対するマイクロ波透過孔30aの総面積の比が0.25〜0.65の範囲に設定されるマイクロ波プラズマ処理装置。

Claim (excerpt)：

マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置されたマイクロ波導入窓を有する反応器と、該反応器内に配設された試料保持部と、該試料保持部に高周波電界または直流電界を印加する手段と、前記マイクロ波導入窓と前記試料保持部との間に設けられ、マイクロ波透過孔を有するアースされた電極手段とを備えたプラズマ処理装置において、前記アースされた電極手段の面積に対する前記マイクロ波透過孔の総面積の比が0.25〜0.65の範囲に設定されていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (3)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• マイクロ波プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-251797   Applicant：住友金属工業株式会社
• 特開昭63-103088
  
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-249576   Applicant：株式会社日立製作所