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J-GLOBAL ID：200903075654644093

Mgドープ窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法

Inventor： 松島 政人 ,  秋田 勝史 ,  嶋津 充 ,  三浦 祥紀
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996171972
Publication number (International publication number)：1998017400
Application date： Jul. 02, 1996
Publication date： Jan. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】 窒化物系のIII-V族化合物半導体結晶をホットウォール法でエピタキシャル気相成長させるときに、Mg化合物を熱分解させることなく、基板上に確実に供給して、所定量のMgのドーピングを可能にした気相成長方法を提供しようとするものである。【解決手段】 V族原料としてアンモニア又はヒドラジンを、III 族原料としてIII 族元素の塩化物を、Mg原料としてMg有機化合物を用い、ホットウォール法の反応管内の基板上に供給することを特徴とするMgドープIII-V族化合物半導体結晶の成長方法である。

Claim (excerpt)：

Mgをドープした窒化物系III-V族化合物半導体結晶のエピタキシャル気相成長方法において、V族原料として、アンモニア又はヒドラジンを、III 族原料として、III 族元素有機化合物と塩化水素若しくは塩素ガスとの混合ガス、又は、III 族元素のハロゲン化物ガスを用い、Mg原料として、Mg有機化合物ガスを用いて、ホットウォール法の反応管内の基板上に前記ガスを供給することを特徴とするMgドープIII-V族化合物半導体結晶の成長方法。

IPC (3)：

C30B 29/40 502 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B 29/40 502 B ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

• 特開昭50-134999
  
• 特開平2-065124
  
• 特開平2-203519
  
• 特開平2-221192
  
• 特開平4-042898
  
• 窒化物系化合物半導体の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-177042   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平2-257678
  
• 気相成長用マグネシウム原料およびこれを用いた気相成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-216660   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 特開昭61-205696
  
• 特開平4-164898
  
• 特開昭60-065798
  
• エピタキシャルウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-139625   Applicant：三菱化学株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• OMVPE法による高濃度pタイプGaAsの成長