半導体素子および半導体発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤島洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997293035
Publication number (International publication number)：1999126947
Application date： Oct. 24, 1997
Publication date： May. 11, 1999
Summary：

【要約】【課題】電極の密着性を改善することができる半導体素子を提供する。【解決手段】サファイアよりなる基板10の上にIII族ナイトライド化合物半導体よりそれぞれなるn側コンタクト層13,n型クラッド層14,活性層15,p型クラッド層16,p側コンタクト層17を順次積層する。p側コンタクト層17の上には絶縁膜18の開口18aを介してp側電極19が形成され、p側電極19および絶縁層18の上にはp側電極19の全面を覆うようにコンタクト用電極20が形成される。p側電極19はNiを含む金属により構成し、コンタクト用電極20はTiを含む金属により構成する。p側電極19によりオーミック接触を確保し、コンタクト用電極20によりp側電極19の密着性を補強する。

Claim (excerpt)：

半導体層に対して電極が設けられた半導体素子であって、前記電極の少なくとも一部を覆うことにより前記電極の密着性を補強する補強層を備えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-067632 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭60-196937
化合物半導体装置における電極配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-101007 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (8)

窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-067632 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭60-196937
特開昭60-196937

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