窒化物半導体レーザ素子

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996067632
Publication number (International publication number)：1997260772
Application date： Mar. 25, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値電流を小さくして、室温で連続発振可能な素子を実現する。【構成】基板上部に形成されたInGaNを含む活性層と、活性層上に形成されたリッジ形状のストライプを有するn型若しくはp型のクラッド層とを有することにより、リッジの下の活性層に光を集中させて、レーザ素子の閾値電流を低下させる。

Claim (excerpt)：

基板上部に形成された活性層と、活性層上に形成されたリッジ形状のストライプを有するn型若しくはp型のクラッド層とを有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-111375
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203084 Applicant：日本電信電話株式会社
青色発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-114541 Applicant：日亜化学工業株式会社

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