窒化物半導体レーザ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996229161
Publication number (International publication number)：1998075008
Application date： Aug. 30, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【目的】レーザ素子の閾値電圧を低下させ、レーザ素子の発熱量を小さくして、室温での連続発振を目指す。【構成】同一面側にそれぞれ平面が露出されたp型窒化物半導体層とn型窒化物半導体層とに、それぞれp電極とn電極とが形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記n電極はn型窒化物半導体層の平面のほぼ全面に形成されていることにより、n電極から活性層に至る電圧降下を少なくして、閾値電圧を低下させる。

Claim (excerpt)：

同一面側にそれぞれ平面が露出されたp型窒化物半導体層とn型窒化物半導体層とに、それぞれp電極とn電極とが形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記n電極はn型窒化物半導体層の平面のほぼ全面に形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

量子井戸型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-314770 Applicant：旭化成工業株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-243681 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-066002 Applicant：松下電子工業株式会社

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