記憶装置および強誘電体記憶装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996013361
Publication number (International publication number)：1997027601
Application date： Jan. 29, 1996
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】疲労劣化の少ない記憶装置および強誘電体記憶装置の製造方法を提供する。【解決手段】希土類マンガン酸塩からなるペロブスカイト薄膜を有する記憶装置と強誘電体記憶装置の製造方法が提供される。このペロブスカイト薄膜層は、質の高い不揮発記憶装置に適する特性を有する。このペロブスカイト薄膜層はMOCVDプロセス、MODプロセス、または液体原料搬送プロセスにより形成されうる。

Claim (excerpt)：

基板と、希土類マンガン酸塩からなる膜と、該膜上に形成された少なくとも1つの電極と、を備えた記憶装置。

IPC (7)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C01G 45/12 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 651 , C01G 45/12 , H01L 27/10 451 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

強誘電体トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-250196 Applicant：株式会社日立製作所
特開平3-180474
ランタンクロマイト系複合酸化物組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-244435 Applicant：電気化学工業株式会社

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