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J-GLOBAL ID：200903047686234764

有機金属化学蒸着法による強誘電体膜の成膜方法

Inventor： セシュ ビー. デスー ,  チェン-シュウング ペン
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993048347
Publication number (International publication number)：1994280023
Application date： Mar. 09, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 炭素混入及び窒素混入が防止でき、且つ安全な強誘電体膜の成膜方法を提供する。【構成】 鉛テトラメチルヘプタンジオネート[Pb(thd)2]、ジルコニウムテトラメチルヘプタンジオネート[Zr(thd)4]、及びチタニウムエトキシドを前駆物質とし、ホットウォール型反応炉10を用いて、有機金属化学蒸着法によって550°C程度の低温でサファイアディスク及びPt/Ti/SiO2/Si基板上にペロブスカイト構造を有する鉛ジルコネートタイタネートPb(ZrxTi1-x)O3薄膜を堆積する。

Claim (excerpt)：

鉛ジルコネートタイタネート薄膜を基板上に堆積する方法であって、反応炉内で該基板を加熱する工程、及び該基板を前駆物質から生成されるガス流にさらす工程を包含する方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平3-126871
  
• 酸化物系誘電体薄膜用CVD原料およびメモリー用キャパシタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-184904   Applicant：三菱電機株式会社
• 金属複合酸化物膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-253240   Applicant：日本酸素株式会社
• CVD法による酸化物系誘電体薄膜の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-289780   Applicant：三菱電機株式会社
• 強誘電性セラミツクス薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-156866   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平4-311571