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J-GLOBAL ID：200903012205564784

半導体光チャネル型導波路および光チャネル型導波路の製造方法

Inventor：
ステファン ジェイ.コバシック

About ステファン ジェイ.コバシック

, 
ジャニュ ジェイ.オジャ

About ジャニュ ジェイ.オジャ


Applicant, Patent owner：
ノーザン・テレコム・リミテッド

About ノーザン・テレコム・リミテッド


Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997040383
Publication number (International publication number)：1997318830
Application date： Feb. 25, 1997
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：
【要約】【課題】 同一基板上の光電子素子および電子素子の両性能を同時に最適化することができ、既存のVLSIプロセスの複雑さを過度に増すことなく製造でき、かつフォトリソグラフィの分解能に悪影響を及ぼさないようにすること。【解決手段】 VLSI(very large scale integration)集積回路とともに集積され得るチャネル型導波路の構造では、SiGe(シリコン-ゲルマニウム)合金よりなるコアと、Si(シリコン)よりなる上下のクラッド層を用いる。コアは、SiGe合金層のみで形成されていてもよいし、Si層とSiGe合金層とが交互に積層されてなる超格子で形成されていてもよい。上部クラッド層上には、離間されて配置されてなるLOCOS(局所的に酸化されたシリコン)領域が形成されており、コアにおけるチャネルの水平方向の境界を定めている。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に下部クラッド層が形成されているとともに、上部クラッド層が設けられ、それら上下のクラッド層の間にコア層が形成され、そのコア層は上下のクラッド層よりも大きい屈折率を具えており、また導波路に沿ってコア層にチャネルが存在し、該チャネルは水平方向の境界により制限されており、さらに上下のクラッド層がシリコンを基礎とする半導体材料で形成されているとともに、コア層が少なくとも一層の半導体合金層で形成されており、水平方向の境界が、少なくとも上部クラッド層に離間して形成された第1および第2の領域により形成されていることを特徴とする半導体光チャネル型導波路。
IPC (3)：
G02B 6/122 ,  G02B 6/13 ,  H01S 3/18
FI (3)：
G02B 6/12 A ,  H01S 3/18 ,  G02B 6/12 M
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
  • 光導波管装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-240112   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
  • 特開平1-256184
  • 特開平3-113428
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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