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J-GLOBAL ID：200903049811746597

トンネル磁気抵抗効果素子、及びトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド

Inventor：
水口 徹也

About 水口 徹也


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000160977
Publication number (International publication number)：2001345493
Application date： May. 30, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】 電気抵抗が低く、良好な磁気抵抗効果を有するトンネル磁気抵抗効果素子、及びトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 少なくとも基板2上に第1の磁性層3と、当該第1の磁性層3上に形成されたトンネル障壁層4と、当該トンネル障壁層4上に形成された第2の磁性層5とを備え、上記トンネル障壁層4を介して上記第1の磁性層3及び上記第2の磁性層5の間にトンネル電流が流れるトンネル磁気抵抗効果素子であって、上記基板2と上記トンネル障壁層4との間に金属酸化物層が介在する。
Claim (excerpt)：
少なくとも、基板上に第1の磁性層と、当該第1の磁性層上に形成されたトンネル障壁層と、当該トンネル障壁層上に形成された第2の磁性層とを備え、上記トンネル障壁層を介して上記第1の磁性層及び上記第2の磁性層の間にトンネル電流が流れるトンネル磁気抵抗効果素子であって、上記基板と上記トンネル障壁層との間に金属酸化物層が介在することを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (4)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16
FI (4)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  G01R 33/06 R
F-Term (19)：
2G017AA00 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA15 ,  5D034BB09 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5E049DB12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (8)
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