スピンバルブ型薄膜磁気素子およびこのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000177472
Publication number (International publication number)：2001358380
Application date： Jun. 13, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】狭トラック化に対応して、スピンバルブ型薄膜磁気素子における△R/R(抵抗変化率)の向上を図る。【解決手段】基板10上に、反強磁性層11、固定磁性層12、非磁性導電層13、フリー磁性層14、バックド層(平均自由行程延長層)B1、α-Fe2O3やNiOなど酸化物、または、NiMnSb,PtMnSbといった半金族ホイスラー合金からなる鏡面反射層S1,S2が積層されてなる積層体16と、この積層体16の両側に形成された電極層18とを有する。

Claim (excerpt)：

基板上に、反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成され、前記固定磁性層の磁化方向と交差する方向へ磁化方向が揃えられたフリー磁性層と、これら固定磁性層、非磁性導電層、フリー磁性層付近に検出電流を供給する一対の電極層と、前記フリー磁性層の磁化方向を前記方向へ揃えるためのバイアス層と、を有し、前記フリー磁性層の前記非磁性導電層に対する逆側に伝導電子の平均自由行程を鏡面反射効果により延長する鏡面反射層が形成されたことを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子。

IPC (8)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/06 , H01F 10/12 , H01F 10/18 , H01F 10/30 , H01F 10/32

FI (8)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/06 , H01F 10/12 , H01F 10/18 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , G01R 33/06 R

F-Term (20)：

2G017AA01 , 2G017AB07 , 2G017AD55 , 5D034BA04 , 5D034BA05 , 5D034BA12 , 5D034BA21 , 5D034CA08 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AA10 , 5E049AB02 , 5E049AB10 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049DB12 , 5E049DB20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-326822 Applicant：松下電器産業株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気抵抗効果素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-276181 Applicant：松下電器産業株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-279158 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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